AFORS-HET软件模拟N型非晶硅／p型晶体硅异质结太阳电池
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未设置昵称 2020-10-20 09:53:32EVA 老化机理以及对太阳电池的影响
17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
文章报道了通过适当氢稀释(RH一15)和合适的衬底温度(Ts一170~C)下，用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na—si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计，在p／i，i／n界面插入渐变带隙缓冲层，制备出了glass／ITO／p-a-SiC：H／i—na—si：H／n—nc—si：H／
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低温沉积p型氢化纳米硅与非晶硅pin顶衬太阳电池.
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该文报道了通过适当氢稀释(RH = 15) 和合适的衬底温度( Ts = 170°C) 下, 用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅( naOSi∶H)薄膜, 并将其用作p in太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p / i, i/n界面插入渐变带隙缓冲层, 制备出了glass/ ITO /pOaOSiC ∶H / iOnaOSi∶H /nOncOSi∶H /Al结构的p
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本文讨论了A 型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（4:）的变化。采用B 射线衍射仪（B0C），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（3690）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（!D）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为)’ *E 时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为,’
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硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数。本文通过调节硅烷浓度，得到了系列位于非晶，微晶过渡区内的材料。研究发现：在非晶，微晶过渡区内存在着一个特别的区域，该区域内的材料光敏性比普通非晶硅高。以这部分材料作为太阳电池的本征层，通过优化电池结构，在Sn02衬底上制备pin型太阳电池，电池的初始开路电压(Voc)达到了0．916 V。
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完全的微晶硅太阳能电池——晶硅或者非晶硅电池特性.
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可以拓宽吸收光谱，最大限度地将光能变成电能，提高了太阳能电池的能量转换效率，这类太阳能电池是目前研究的热点。本文集中介绍了非晶硅叠层太阳能电池、多元化合物叠层太阳能电池和染料敏化叠层太阳能电池的研究现状，对它们的结构、性能指标和效率等做了介绍和评估，指出了各自的优缺点，分析了阻碍叠层太阳能电池进一步发展和应用的制约因素主要有两个：很难找到两种晶格匹配良好的半导体晶体；对环境友好，价格合理，来源丰富
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:利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池，并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验。通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化，结果发现光照前后微晶硅薄膜的微结构几乎没有变化;同时研究了不同晶化率微晶硅薄膜太阳电池在白光下的J-V特性与量子效率(QE)变化，以及低晶化率的太阳电池在两种光源下的衰退情况，结果表明微晶硅薄膜太阳电池光衰退现象主要发生在对
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DDR的核心部分是平板探测器。可以概括的说，它是一种采用半导体技术，将X线能量直接转换为电信号，产生X线图像的检测器。平板探测器可以取代现在的所有类型的X线检测器，如电视影像增强系统。它最突出的特点就是输出的是高质量的数字化影像。在直接转换类型中，其制传递函数（MTF）特点较图像屏幕系统好，敏感性则可与电视增强系统相比。平板探测器的发展和进一步完善将可逐步取代传统的X线探测装置
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硅薄膜太阳电池技术是光伏领域最具低成本优势的光伏技术, 目前已成为各国光伏计划支持的重点。相比于 非晶硅电池, 相变区的微晶硅薄膜太阳电池几乎没有光致衰退, 且具有良好的长波段光谱响应特性, 可以和非晶硅薄膜电池相结合制备成叠层电池。而当电池衬底使用柔性薄膜材料后, 薄膜电池的研制工艺技术更具有特殊性。本文回顾了硅基薄膜电池的研究历史,
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目前，主流的光伏组件产品仍以硅为主要原材料，仅以硅原材料的的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10-12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产薄膜非晶硅太阳电池可以产出超过200兆瓦。
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一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介 二、非晶硅太阳能电池制造工艺 三、非晶硅电池封装工艺
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低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon；LTPS，以下以LTPS 代称）是平板显示器领域中的又一新技术。继非晶硅（Amorphous-Silicon，以下以a-Si 代称）之后的下一代技术。
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断载热象无损检测结构简单，准备时间短，操作极为方便。
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